1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。MRAM专为需要对数据进行高频写入的应用而设计，可提供与并行I/O MRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行（XIP）操作。1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin T
阅读背景：
分享一款MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM
来源：互联网
分享到：
