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MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片,是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片,是一款小电流贴片整流桥。MS
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MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片,是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A,漏电流(Ir)为5uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质,里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是:正向电流(Io)为3A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.1V,其中有4条引线。MSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片,是一款小电流贴片整流桥。MS