从DDR的访存特性来说，对同一块DDR，两个访存操作之间需要一些时间间隔，这里面包括CL (CAS时延）, tRCD（RAS到CAS时延），tRP（预充电有效周期）等。从DDR的访存特性来说，对同一块DDR，两个访存操作之间需要一些时间间隔，这
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DDR的多通道(channel)和交织(interleave)
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