通过一个 3200Mbps LPDDR4 接口将一个应用处理器连接至 DRAM 芯片,其难度不亚于 2600MHz 4G LTE 天线的布线工作。虽然 RF 前端采用了陶瓷封装,并在各个抗电磁干扰模块中进行了精心布线,但数字信号会穿过球栅阵列封装和高密度小型印刷电路板(PCB),从而使它们更容易受到高频影响。通过一个 3200Mbps LPDDR4 接口将一个应用处理器连接至 DRAM 芯片,
通过一个 3200Mbps LPDDR4 接口将一个应用处理器连接至 DRAM 芯片,其难度不亚于 2600MHz 4G LTE 天线的布线工作。虽然 RF 前端采用了陶瓷封装,并在各个抗电磁干扰模块中进行了精心布线,但数字信号会穿过球栅阵列封装和高密度小型印刷电路板(PCB),从而使它们更容易受到高频影响。通过一个 3200Mbps LPDDR4 接口将一个应用处理器连接至 DRAM 芯片,