1.NOR Flash和NAND Flash
对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。所有的Flash器件（包括NOR Flash和NAND Flash）都遭遇位反转的问题：由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误（这种概率很低），NAND Flash出现这种问题的几率远大于NOR Flash。当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转，重新读取即可；如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施，推荐使用EDC/ECC进行错误检测/恢复。 对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3
对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。所有的Flash器件（包括NOR Flash和NAND Flash）都遭遇位反转的问题：由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误（这种概率很低），NAND Flash出现这种问题的几率远大于NOR Flash。当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转，重新读取即可；如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施，推荐使用EDC/ECC进行错误检测/恢复。 对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3
